机译:热线CVD沉积铝掺杂氢化微晶立方碳化硅薄膜
Tokyo Inst Technol, Dept Phys Elect, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
Tokyo Inst Technol, Quantum Nanoelect Res Ctr, Meguro Ku, Tokyo 1528552, Japan;
hot wire CVD; low temperature deposition; silicon carbide; TEMPERATURE;
机译:在低衬底温度下通过热丝化学气相沉积法沉积的氢化微晶立方碳化硅薄膜的性能
机译:热线CVD法生长掺硼氢化纳米晶立方碳化硅(3C-SiC)薄膜
机译:热线CVD开发微晶碳化硅窗口层及其在微晶硅薄膜太阳能电池中的应用
机译:在玻璃基板上的低底板温度下,高导电氢化微晶立方碳化硅膜沉积在低底板温度下
机译:在直流鞍场PECVD系统中氢化微晶硅薄膜的生长。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:使用热线CVD(Cat-CVD)工艺制备的氢化微晶硅薄膜的亚带隙光学吸收光谱