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机译:氢化非晶碳膜的纵向和横向压阻效应
Institute for Semiconductor Technology, Technical University Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, D-38106 Braunschweig, Germany;
electrical and thermal conduction in amorphous and liquid metals and alloys; low-field transport and mobility; piezoresistance; conductivity phenomena in semiconductors and insulators; tunneling; semiconductor-metal-semiconductor structures; diamond-like;
机译:氢化非晶碳膜的压阻应变系数
机译:氢化非晶碳膜的压阻应变系数
机译:颗粒金属-碳纳米复合材料作为压阻传感器膜–第2部分:模拟纵向和横向应变敏感性
机译:原位等离子体分析,通过等离子体增强化学气相沉积法沉积在Si上的氟化非晶碳和氢化非晶碳薄膜的氟掺入,热稳定性,应力和硬度比较
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:非晶氢化碳膜(a-C:H)精制可持续的聚己二酸对苯二甲酸丁二醇酯(PBAT)揭示了膜厚度随sp2 / sp3比率变化而变化的不稳定性
机译:比较四面体无定形碳和氢化非晶碳薄膜的硬度和磨损数据
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日