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机译:金属合金硒化/硫化制备Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜的性能
Joint Institute of Solid State and Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovka 19, 220072 Minsk, Belarus;
chalcopyrite; solar cells; raman scattering; growth monitoring;
机译:金属合金硒化/硫化制备单相Cu(In,Ga)(Se,S)_2合金的材料和器件性能
机译:共蒸镀Cu-Zn-Sn前驱体的后硒化和顺序硫化制备的Cu_2ZnSnSe_4和Cu_2ZnSn(Se,S)_4吸收体薄膜的特性
机译:通过合金化金属前体的一步硫磺化制备的Cu2ZnSn(S_xSe_(1-x))_ 4薄膜的性能
机译:硒化温度对金属Cu-In合金前驱物硒化制备的CuInSe <,2>薄膜性能的影响
机译:通过硒化铜铟氧化物制备的薄膜铜铟二硒化物的表征。
机译:Cu:Ag原子比对溅射Cu-Ag合金薄膜性能的影响
机译:硒化同时蒸发的Sn-Zn-Cu金属层在光伏中的Cu2ZnSnSe4薄膜
机译:Cu(In,Ga)s2,CuGa-In前驱体H2s硫化制备薄膜太阳能电池