...
机译:光谱光响应法和Ⅰ-Ⅴ-T法测定电沉积CuIn(S,Se)_2的光学和电学间隙的比较
Laboratoire de Genie Electrique de Paris (LGEP, UMR 8507 CNRS), LGEP-Supelec, Universites Paris VI & Paris XI, Plateau de Moulon, 11 rue Joliot Curie, 91192 Gif-sur-Yvette, France;
CISS; cliff-type alignment; spike-type alignment; Ⅰ-Ⅴ-T measurements; tunnelling enhanced recombination mechanisms;
机译:通过光谱光响应和I-V-T测量确定的电沉积CuIn(S,Se)_2的光电间隙的比较
机译:光学外差和脉冲响应技术对快速光电探测器响应测量的比较
机译:用于研究细胞悬浮液渗透反应的光学测量和电学测量技术的比较
机译:电折射光波导中布拉格光栅光谱响应的电控制
机译:光电与极紫外光中所选光谱线相对强度的照相测量的比较。
机译:用光谱域光学相干断层扫描检测黄斑神经节细胞/内膝状神经层以检测早期青光眼并与视网膜神经纤维层测量进行比较
机译:光学外差和脉冲响应技术对快速光电探测器响应测量的比较
机译:通过测量mIs太阳能电池的光电导率和光谱响应研究a-si:H合金中的间隙态