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机译:PRAM应用Bi / Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变特性
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 134 Shinchon-dong Seodaemoon-gu Seoul, 120-749, South Korea;
chalcogenides; physical vapor deposition (PVD); crystallization; electrical properties and measurements;
机译:Ge_2Sb_2Te_5和Sn掺杂的Ge_2Sb_2Te_5薄膜在非晶到结晶相变过程中的电渗流特性
机译:用于PRAM应用的氮掺杂GeSb薄膜的相变特性和电性能
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机译:激光诱导SnS2薄膜中的SnS2-SnS相变和表面改性
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