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机译:高深宽比接触蚀刻的轮廓模拟
Lam Research Corporation, 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538, USA;
plasma etch; profile simulation; high aspect ratio contact; etch profile;
机译:高深宽比深亚微米的刻蚀轮廓控制A-Si栅刻蚀
机译:用于高纵横比亚微米硅沟槽的轮廓控制的低温蚀刻工艺开发
机译:等离子体刻蚀纳米结构轮廓的三维模拟中的表面电荷效应
机译:用于晶片边缘底部蚀刻增强的高纵横比(HAR)蚀刻中的仿真辅助离子角度调谐
机译:用蚀刻和沉积法对二氧化硅接触孔的等离子体蚀刻轮廓进行建模。
机译:注射成型中不同长径比的纳米结构脱模过程的分子动力学模拟
机译:高深宽比深亚微米刻蚀轮廓控制-硅栅刻蚀
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)