机译:过渡金属,Hf(zr),/ high-k栅介电层,Hf(zr)o_2,界面处的化学键合和渐变界面过渡区
North Carolina State University, Department of Physics, Box 8202, Raleigh, NC 27695-8202, USA;
high-k dielectrics; hf(zr)o_2; transition metal; chemical bonding; graded interfacial regions; o-atom vacancies; discrete band edge;
机译:基于锗/ hf氧化物的介电界面的界面过渡区:非晶Hf氧氮化硅与纳米晶Hfo_2栅堆叠之间的质量差异
机译:“早期”过渡金属络合物[(H2N)3M-M(CO)4]中的化学键合(M = Ti,Zr,Hf; M'= Co,Rh,Ir)
机译:用于下一代纳米器件的Hf和Zr硅酸盐和铝酸盐高k栅极电介质的原子层化学气相沉积(ALCVD)
机译:XAS研究Ti / Zr / HF高k栅电介质中氮气和氧原子的化学键合
机译:高级加工沉积Zr和Al掺入的高k电介质的可靠性研究
机译:(Cp2M)2B9H11(M = Zr或Hf):具有强共价键和静电键合的早期过渡金属保护七硼烷
机译:不可压缩四方过渡金属DINITRATE TMN2(TM = TI,ZR和HF)的电子键合分析和机械强度
机译:过渡金属 - 硼 - 碳 - 硅系统中的三元相平衡。第二部分。三元系统。第四卷。 Ti-Zr-C,Ti-HF-C和Zr-HF-C体系