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机译:衬底的晶体取向对Si_2h_6低温合成硅纳米线的影响
Quantum Nanoelectronics Research Center, and Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayatna, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
si nanowires; synthesis; diffusion; diameter distribution; au catalyst; eutectic temperature; low pressure chemical vapor deposition;
机译:衬底取向对电子回旋共振化学气相沉积法在多晶和单晶衬底上生长的硅纳米线密度的影响
机译:Si_2H_6在低温下汽液相生长小直径和均匀直径的硅纳米线
机译:在不同温度和方向下在硅衬底上生长的光致发光峰和ZnO纳米线直径的依赖性
机译:非晶硅薄膜内部低温结晶纳米线的合成
机译:硅衬底上取向可控的外延气液固半导体纳米线合成
机译:揭示一种低温合成硅纳米晶体和单片纳米晶体薄膜的简单方法
机译:衬底晶体取向对si2H6低温合成硅纳米线的影响
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响