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机译:Si(001)表面制备,用于Si衬底上间隙的逆域自由异质外延生长
NAsP_(III/V) GmbH, D-35041 Marburg, Germany;
iii/v on si heteroepitaxy; silicon photonics; vapour phase epitaxy; antiphase domain; bi-atomic steps; pseudomorphic nucleation; step-doubling;
机译:使用原位AsH_3表面制备通过金属有机化学气相沉积法在Si衬底上生长无反相域的GaP
机译:原位逆相域量化应用于Si(100)上异质外延GaP的生长
机译:原位逆相域量化应用于Si(100)上异质外延GaP的生长
机译:生长温度和衬底取向错误对GS-MBE在GaAs(001)衬底上生长的Ga_0.52In_0.48P外延层中反相畴尺寸有序度的影响
机译:GaAs-on-Si(001)中的反相域边界能量研究
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:通过高迁移率的金属有机化学气相沉积在300mm si(001)衬底上外延生长反相无边界Gaas层
机译:衬底温度对(si)(111)表面上的((自由基)(ovr 3)(次)(自由基)(ovr 3))R30(度)畴生长的影响。