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机译:前言

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摘要

This special issue of Thin Solid Films contains the papers presented at the Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Hetero-structures (ICS1-5) held in Marseille, France, from 20th to 25th May 2007. The ICSI-5 provided a unique forum for reviewing and discussing novel developments in physics and device technologies of Si epitaxy, heterostructures, and nanostructures. The conference is a biannual succession of the ICSI-4 held at Awaji Island, Hyogo, Japan, 2005, the ICSI-3 in Santa Fe, USA, 2003, the ICSI-2 in Strasbourg, France, 2001 and the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si or ICSI-1) held in Zao, Miyagi, Japan, 1999.
机译:本期特刊《固体薄膜》包含在2007年5月20日至25日于法国马赛举行的第五届硅外延与异质结构国际会议(ICS1-5)上发表的论文。ICSI-5为回顾和讨论硅外延,异质结构和纳米结构的物理和器件技术的新发展。该会议是2005年在日本兵库县淡路岛举行的ICSI-4半年两次,2003年在美国圣达菲举行的ICSI-3、2001年在法国斯特拉斯堡举行的ICSI-2以及在2004年召开的国际联席会议。硅外延和异质结构(IJC-Si或ICSI-1)于1999年在日本宫城县藏王市举行。

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