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机译:高通量低能离子辅助反应磁控溅射沉积Si含量约为10at。%的Ti-Si-N薄膜的结构和性能
Shanghai Key Laboratory of Materials Laser Processing and Modification, Shanghai Jiaotong University, 800 Dong Chuan Road, Shanghai, 200240, PR China;
Ti-Si-N films; sputtering; ion irradiation; microstructure; hardness;
机译:直流反应磁控溅射沉积条件对Ti-Si-N薄膜微观结构和力学性能的影响
机译:Ar离子束辅助和退火温度对反应性DC磁控溅射沉积TiO2薄膜性能的影响
机译:反应磁控共溅射电子回旋共振等离子体辅助沉积Cu(In,Ga)S2薄膜的形貌和结构演变
机译:硅添加在CRSI(10,20,30,40at)中的磁共振磁控靶对反应沉积(Cr,Si)N涂层的微观结构靶向
机译:通过反应磁控溅射沉积的亚稳态钛(0.5)铝(0.5)铝合金薄膜的物理性能。
机译:反应堆磁控溅射沉积p型缺铜Cu Cr0.95-xMg0.05 O2薄膜的光电性能
机译:V含量的增加对直流反应磁控溅射沉积Ti–Si–V–N薄膜的结构,力学性能和抗氧化性的影响