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Structure of epitaxial Mn-stabilized ZrO_2 layers on yttria-stabilized zirconia single crystals prepared by sputtering

机译:溅射制备的氧化钇稳定的氧化锆单晶上Mn稳定的ZrO_2外延层的结构

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摘要

Epitaxial Mn-stabilized zirconia layers on yttria-stabilized ZrO_2 (YSZ) single crystals were prepared by sputtering a Mn_(0.32)Zr_(0.68)O_2 target. Substrates with (001), (110) and (111) orientation were used. Transmission electron microscopy cross sections showed a homogeneous thickness of the layers. Layers prepared at a substrate temperature of 600 ℃ grew epitaxially. X-ray diffraction showed that these layers are not exactly cubic. We found a slightly larger out-of-plane lattice parameter compared to the in-plane lattice parameter. This means the out-of-plane lattice misfit is lower than the in-plane lattice misfit, contrary to behaviour expected for epitaxially grown layers. This effect was largest for layers on YSZ(111) and small for layers on YSZ(001).
机译:通过溅射Mn_(0.32)Zr_(0.68)O_2靶材,在氧化钇稳定的ZrO_2(YSZ)单晶上制备了外延的Mn稳定的氧化锆层。使用具有(001),(110)和(111)取向的基板。透射电子显微镜的横截面显示出各层的均匀厚度。在600℃的衬底温度下制备的层外延生长。 X射线衍射表明这些层不完全是立方的。我们发现,与面内晶格参数相比,面外晶格参数略大。这意味着平面外晶格失配低于平面内晶格失配,这与外延生长层的预期行为相反。对于YSZ(111)上的图层,此效果最大;对于YSZ(001)上的图层,此效果很小。

著录项

  • 来源
    《Thin Solid Films》 |2009年第19期|5676-5682|共7页
  • 作者

    MA Schubert; S. Senz; D. Hesse;

  • 作者单位

    Max-Planck-Institut fuer Mikrostrukturphysik, Weinberg2, D-06120 Halle, Germany;

    Max-Planck-Institut fuer Mikrostrukturphysik, Weinberg2, D-06120 Halle, Germany;

    Max-Planck-Institut fuer Mikrostrukturphysik, Weinberg2, D-06120 Halle, Germany;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    x-ray diffraction; manganese; zirconium; oxides;

    机译:X射线衍射;锰;锆;氧化物;

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