机译:P型4h-sic上阳极Sio_2薄膜的表征
Electronic Materials Research Croup, School of Materials and Mineral Resources Engineering, Universiti Sains Malaysia, 14300 Nibong Tebal, Penang, Malaysia;
anodic oxidation; atomic force microscope; annealing; silicon carbide;
机译:傅里叶变换红外光谱和阴极荧光光谱相结合表征4H-SiC外延衬底上热氧化SiO_2薄膜的不均匀性
机译:傅里叶变换红外光谱和阴极荧光光谱相结合表征4H-SiC外延衬底上SiO_2薄膜的不均匀性
机译:以低温亚阈值斜率为特征的SiO_2 / p型4H-SiC(0001),(1120),(1100)金属氧化物半导体结构的界面态密度
机译:通过傅里叶变换红外光谱和阴极发光光谱的组合表征4H-SiC外延衬底上的热氧化物SiO_2膜的惰性性
机译:在薄电解质膜下与缝隙腐蚀有关的阴极和阳极过程的特征。
机译:气溶胶沉积制备锂离子电池负极Sn4P3-碳复合膜的表征
机译:P型GaAs膜的特征