机译:具有金属门的Aln / Hfo_2高k堆栈的电学和材料性能
Tokyo Electron US., 14338 FM 1826, Austin, TX 78737, United States;
aluminum nitride; atomic layer deposition; gate dielectric; high κ; high permittivity; molecular layer deposition; molybdenum nitride; metal gate; capping layer; effective work function;
机译:基于多晶p-Cu_xO和HfO_2 / SiO_2高κ堆叠栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的制备和电性能
机译:后金属化退火对具有Pt / HfO_2栅堆叠的Ge金属氧化物半导体(MOS)电容器的结构和电性能的影响
机译:TiN金属栅电极的HfO_2 / SrTiO_3堆叠栅介质的电学和结构性能
机译:高K /金属门叠层中HfO_2的深-退火-深-退火(DADA)工艺的物理和电学效应
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性