机译:反应热化学气相沉积法直接沉积在玻璃基板上的多晶硅膜的形核和生长
Imaging Science and Engineering Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan;
low temperature poly-si; nucleation; reactive therma-cvd; TFT; polycrystalline si;
机译:直接在450摄氏度下在玻璃基板上沉积器件级多晶硅膜并制造底栅多晶硅TFT
机译:含氧试剂对通过大气压化学气相沉积(APCVD)在玻璃基板上沉积的氧化钨薄膜的晶体形态和取向的影响
机译:大气压化学气相沉积法沉积在玻璃上的TiSi_2薄膜的成核与生长
机译:在450°C的反应热CVD中直接沉积在玻璃基板上的多晶硅膜的形核和生长
机译:通过化学气相沉积法沉积的钌薄膜的生长和表征:增强成核和薄膜性能。
机译:低温等离子体增强化学气相沉积法在玻璃基板上铜辅助垂直石墨烯纳米片的直接生长
机译:反应化学气相沉积的Cosi2镶嵌对Cosi2晶体的生长行为及热稳定性