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机译:反应堆压力对氢化物气相外延生长甘层质量的影响
Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China;
growth mode; gallium nitride; hydride vapor phase epitaxy; atomic force microscopy; x-ray diffraction;
机译:蓝宝石衬底取向对氢化物气相外延生长的厚GaN层表面形貌和结构质量的影响
机译:在氨热生长的GaN晶种上由氢化物气相外延结晶的厚GaN层制备自支撑GaN衬底
机译:通过氢化物气相外延生长的厚GaN层:异质与同质外延
机译:GaN层由氢化物气相外延生长:反应器压力的影响
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:氢化物气相外延生长在AlN纳米图案蓝宝石模板上的AlGaN外延层的结构和应力特性
机译:在两步外延横向过长GaN模板上通过氢化物汽相外延生长无应变的块状GaN