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机译:晶种横向液相外延在绝缘子上单晶锗的巨大生长
Department of Electronics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan;
rnDepartment of Electronics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan;
rnDepartment of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University, Fukuoka 816-8580, Japan;
rnDepartment of Electronics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan;
rnDepartment of Electronics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan;
ge on insulator; liquid-phase epitaxy; LSI;
机译:横向液相外延制造局部绝缘体上的Ge的结构:控制Ge和绝缘体之间的界面能对横向外延生长的影响
机译:硅晶种在绝缘子上锗的横向液相外延
机译:硅晶种在绝缘子上锗的横向液相外延
机译:通过晶种凝固进行横向外延以在绝缘子上生长单晶硅膜
机译:通过选择性区域液相外延生长的铝-砷化镓/砷化镓的横向调制掺杂结构。
机译:更正:碲覆盖的结晶度和SrTiO3上铁磁拓扑绝缘膜的外延
机译:基于多步横向过度生长和氢退火的块状硅衬底上的高质量单晶绝缘体上锗
机译:种子凝固外延生长在绝缘子上的单晶硅薄膜生长