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机译:在离轴(111)Si衬底上生长的高质量6英寸(111)3C-SiC膜
IMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
rnIMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
rnIMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
rnIMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
rnIMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
rnEpitaxial Techn. Center, 16a Strada, Contrada Torre Allegra, 95030, Catania, Italy;
rnEpitaxial Techn. Center, 16a Strada, Contrada Torre Allegra, 95030, Catania, Italy;
rnST-Microelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy;
rnST-Microelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy;
rnIMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
rnIMM-CNR, sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy;
3C-SiC heteroepitaxy; urge area substrates; defects; stress evolution;
机译:在各种衬底温度下在轴上和轴外3C-SiC(111)/ Si(111)衬底上溅射AlN膜
机译:在离向的4H-SIC基板上生长的高质量C面和Si面3C-SiC(111)的比较研究
机译:(111)3C-SiC薄膜生长中切线方向对离轴(111)Si的影响
机译:弯曲6英寸高质量离轴(111)3C-SiC膜
机译:使用射频电浆辅助化学束磊晶成长氮化铟磊晶材料于表面氮化处理矽(111)基板之研究 =Investigation of Epi-InN Materials Grown on Surface Nitride Si (111) Substrate by RF-CBE
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:在各种衬底温度下在上轴3C-SiC(111)/ Si(111)基板顶部的AlN膜的溅射
机译:通过脉冲激光烧蚀在无定形siO(sub 2)衬底上生长的(111)晶体CeO(sub 2)薄膜的形态和微观结构