机译:射频等离子体增强化学气相沉积不同H_2 / C_2H_2比的光纤上碳涂层的特性
Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University 250 Kuo Kuang Road, Taichung 402, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University 250 Kuo Kuang Road, Taichung 402, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University 250 Kuo Kuang Road, Taichung 402, Taiwan;
Mechanical and Systems Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan;
carbon; chemical vapor deposition; microstructure; morphology;
机译:射频功率对通过电感耦合等离子体增强的热化学气相沉积制备的光纤上的碳涂层性能的影响
机译:射频功率对等离子增强化学气相沉积制备的光纤上碳涂层性能的影响
机译:通过使用不同的氩/甲烷比率通过等离子体增强化学气相沉积制备的光纤上的碳涂层的特性
机译:等离子体增强化学气相沉积时间对使用C_2H_2和H_2作为前体的多壁碳纳米管生长的时间效应
机译:通过等离子体增强化学气相沉积合成功能性多层涂层。
机译:使用电纺PVP纳米纤维模板的等离子体增强化学气相沉积法制备对准的超长和可控直径的氧化硅纳米管
机译:通过射频放电等离子体中等离子体增强化学气相沉积方法的合成碳纳米瓦尔
机译:使用高温等离子体化学气相沉积制备的抗损伤光学涂层。