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机译:内应力对等离子增强化学气相沉积SiN_x:H薄膜的断裂韧性的影响
Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, United States;
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nanoindentation; silicon nitride; fracture toughness; plasma CVD; stress;
机译:电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积硅衬底上的SiN_x,SiO_2 / SiN_x和SiO_xN_y介电膜的电导瞬态比较分析
机译:直接等离子增强化学气相沉积SiN_x薄膜的化学计量和硅衬底表面粗糙度对表面钝化的影响
机译:使用堆叠式等离子增强化学气相沉积SiO_2 / SiN_x栅极电介质增强多晶硅薄膜晶体管的稳定性
机译:原位等离子体分析,通过等离子体增强化学气相沉积法沉积在Si上的氟化非晶碳和氢化非晶碳薄膜的氟掺入,热稳定性,应力和硬度比较
机译:将等离子体增强化学气相沉积的氮化硅薄膜建模为有限的几何形状
机译:在Nafion负载的电化学沉积钴纳米粒子上进行等离子体增强化学气相沉积产生的金属/碳杂化纳米结构
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的聚萜烯薄膜的光学和化学性质