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机译:三元GeSiSn合金:使用IV族半导体进行应变和带隙工程的新机会
Department of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1504, USA;
Department of Chemistry and Biochemistry, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1604, USA;
Department of Chemistry and Biochemistry, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1604, USA;
Department of Chemistry and Biochemistry, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1604, USA;
Department of Physics, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1504, USA;
group-IV semiconductors; semiconductor alloys;
机译:IV族半导体合金的成分相关带隙和间接-直接带隙跃迁
机译:新型功能合金半导体的带隙和功能工程:在室温下以α-(GaFe)2O3的磁性能产生
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机译:(邀请)锗 - 硅锡三元合金半导体薄膜的杂藻和应变工程,用于节能设计
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机译:LnCuOCh(Ln = La,Pr和Nd; Ch = S或Se)半导体合金的宽间隙p型氧硫族化物外延膜的本征激子光致发光和带隙工程
机译:可控带隙III-V合金半导体的制备研究