机译:衬底电导率类型对液相外延生长的外延层厚度和组成的影响
CIDS-ICUAP-BUAP. Apartado Postal 207, 72000 Puebla, Pue., Mexico;
CIDS-ICUAP-BUAP. Apartado Postal 207, 72000 Puebla, Pue., Mexico;
Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Institute de Investigation en Comunicacton Optica, Av. Karakorum 1470, Col. Lomas 4a Sec, San Luis Potosi, SLP, CP 78210, Mexico;
Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Institute de Investigation en Comunicacton Optica, Av. Karakorum 1470, Col. Lomas 4a Sec, San Luis Potosi, SLP, CP 78210, Mexico;
Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Institute de Investigation en Comunicacton Optica, Av. Karakorum 1470, Col. Lomas 4a Sec, San Luis Potosi, SLP, CP 78210, Mexico;
CINVESTAV-IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico D.F., CP 07360, Mexico;
liquid phase epitaxy (LPE); growth kinetics; liquid-solid interfaces;
机译:衬底电导率对液相外延生长GaAlSb外延层厚度和组成的影响
机译:新型液相外延装置中生长的HgCdTe外延层的组成可再现性评估
机译:通过气相外延对INP基质生长的增强层厚度的组成均匀性研究
机译:In x sub> Ga x sub> Sb 1-y sub>外延层的光致发光
机译:表面活性剂控制通过有机金属气相外延生长的磷化铟镓和砷化镓外延层的表面过程。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:Te杂质对液相外延生长在GaSb(001)衬底上的GaSb外延层形貌的影响
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。