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机译:连续横向凝固形成的掺硼多晶硅中的电活化
Department of Materials Science and Engineering, Hongik University, Seoul 121-791, Republic of Korea;
LTPS Team, AMLCD Business, Samsung Mobile Display CO., Cheonan-si, ChoongchungNam-do 331-300, Republic of Korea;
LTPS Team, AMLCD Business, Samsung Mobile Display CO., Cheonan-si, ChoongchungNam-do 331-300, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Hongik University, Seoul 121-791, Republic of Korea;
doping; electrical activation; polycrystalline silicon; thin-film-transistor;
机译:通过新的对准顺序横向凝固过程结晶的多晶硅薄膜晶体管的电学特性
机译:低温顺序横向横向凝固工艺形成的新型双向T型三栅极n型多晶硅薄膜晶体管,以减少扭结效应
机译:粗糙度对顺序横向固化低温多晶硅薄膜晶体管均匀性和可靠性的影响
机译:顺序横向凝固的多晶硅薄膜晶体管的晶界表征
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:采用氟封端的多晶掺硼金刚石作为pH不敏感溶液门场效应晶体管的全固态pH传感器
机译:原位磷和硼掺杂多晶siGeC薄膜的电学特性
机译:快速凝固硼掺杂不锈钢中硼化物颗粒的预辐射空间分布和稳定性