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机译:模拟的价带偏移和晶界电子活性对多晶Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池性能的影响
University of Ljubljana, Faculty of Electrical Engineering, Tr?a?ka 25, SI-1000 Ljubljana, Slovenia;
University of Ljubljana, Faculty of Electrical Engineering, Tr?a?ka 25, SI-1000 Ljubljana, Slovenia;
University of Ljubljana, Faculty of Electrical Engineering, Tr?a?ka 25, SI-1000 Ljubljana, Slovenia;
Numerical simulation; Grain boundaries; CIGS solar cell; Substrate/superstrate configuration;
机译:晶粒尺寸对Cu(ln,ga)se_2太阳能电池性能影响的模拟研究
机译:晶界改性对宽带隙Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池有限性能的影响
机译:Cu(ln,Ga)Se_2太阳能电池中晶界处载流子收集和复合的数值模拟
机译:Cu(In,Ga)SE_2太阳能电池中抛光平坦表面的晶界辐射转移活性
机译:硒化铜铟镓:晶界的电子活性和太阳能电池的制造研究。
机译:带电的晶界降低了多晶太阳能电池的开路电压–分析说明
机译:缺陷对CIGS(Cu(In,Ga)Se_2 / CdS)太阳能电池界面上的能带偏移和能量学的预测作用及其对改善性能的影响
机译:小颗粒多晶硅太阳电池晶界的研究