机译:光致发光研究CuGaSe_2单晶薄膜的光电性能空间变化
Laboratory of Photovoltaics, University of Luxembourg, L-4422 Belval, Luxembourg;
Laboratory of Photovoltaics, University of Luxembourg, L-4422 Belval, Luxembourg;
Laboratory of Photovoltaics, University of Luxembourg, L-4422 Belval, Luxembourg Device Development Center, TDK Corporation, Ichikawa, Chiba, 272-8558, Japan;
Laboratory of Photovoltaics, University of Luxembourg, L-4422 Belval, Luxembourg;
Photoluminescence; Epitaxy; CuGaSe_2; Inhomogeneities; Chalcopyrite;
机译:增强用于光电和太阳能电池应用的Na和Sn取代的Na和Sn取代的ZnS薄膜的光致发光性质;比较研究
机译:拉曼光谱和光致发光光谱研究掺Ge的CuGaSe_2薄膜的结构性质
机译:单晶γ-In2Se3薄膜单晶外延和光电性能云母
机译:时间分辨微波电导率研究CuGaSe_2薄膜的光电性能
机译:利用多种相关空间分辨光谱技术研究薄膜太阳能电池材料Cu2ZnSn(S,Se)4的光电性能。
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
机译:原子力显微镜研究Pb(Zr-0.3,Ti-0.7)O-3薄膜中铁电性能的空间变化