...
机译:Si覆盖层沉积和随后的等离子蚀刻引起的黑色SiC形成
Korea Electrotechnology Research Institute (KERI), Bootmosan-Gil 70, Changwon, Cyeongnam 642-120, Republic of Korea;
Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, 447-1 Wolgye-Dong, Nowon-Cu, Seoul 139-701, Republic of Korea;
Korea Electrotechnology Research Institute (KERI), Bootmosan-Gil 70, Changwon, Cyeongnam 642-120, Republic of Korea;
Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, 447-1 Wolgye-Dong, Nowon-Cu, Seoul 139-701, Republic of Korea;
silicon carbide; roughening; reflectance; black silicon; plasma etching;
机译:结合等离子基光纤刻蚀和类金刚石碳纳米叠加沉积,以提高长周期光栅的灵敏度
机译:通过化学蚀刻消除4H-SiC的机械抛光引起的表面损伤及其对随后外延生长的影响
机译:通过在SiO_2沉积和高温N_2退火之前排除使用H_2蚀刻的氧化过程来形成高质量SiC(0001)/ SiO_2结构。
机译:4H-SiC金属 - 氧化物半导体(MOS)电容器通过钨灯炉中的氧化而与微波血浆组合制造,随后沉积Al_2O_3。
机译:激光和等离子体诱导的薄膜沉积,蚀刻和表面改性
机译:垂直和斜面结构的SiC蚀刻技术结合了用于各种微电子应用的不同混合气体等离子体
机译:sF6 / O-2中siC的电感耦合等离子体蚀刻和蚀刻诱导的表面化学键合修饰
机译:高密度等离子体蚀刻siC的等离子体化学;电子材料学报