机译:金属氧化物半导体器件中铂栅电极有效功函数的调制
Departamento de Genoa dos Materials, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal;
Departamento de Genoa dos Materials, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal;
Departamento de Genoa dos Materials, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal;
Department of BIN Fusion Technology, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea,School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea;
silicon; germanium; HfO_2; interface; fermi level pinning;
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