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机译:射频磁控溅射沉积真空后退火钨和钛掺杂铟氧化物薄膜的结构和电性能的变化
School of science, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, PR China;
Nanophotonics - Physics of Devices, Debye Institute for Nanomaterials Science, Faculty of Science, Utrecht University, P.O. Box 80.000,3508 TA Utrecht, The Netherlands;
transparent conducting oxides; structural properties; electrical properties; electron mobility; annealing; indium oxides; doped oxides; sputtering;
机译:射频磁控溅射沉积钛掺杂铟锡氧化物(InSnO_2:Ti)薄膜的导电和透明特性
机译:射频磁控溅射沉积Eu掺杂氧化铟薄膜的电学和光学性质
机译:沉积参数对射频磁控溅射沉积聚萘二甲酸乙二醇酯衬底上铟锡氧化物薄膜电学和力学性能的影响
机译:RF溅射沉积的钛掺杂氧化铟膜的结构和电性能
机译:研究磁控溅射生产的氧化锌基薄膜的结构,电,光和磁性能。
机译:射频磁控溅射沉积BiFeO3薄膜的结构和纳米力学性能
机译:射频溅射沉积钛掺杂氧化铟薄膜的结构和电学性质
机译:射频溅射沉积锑化铟薄膜的结构和电学特性。