机译:快速热法对Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池直流溅射金属前驱物的硒化退火效应
Center for Photovoltaic and Solar Energy, Shenzhen Institutes of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen City, 518055, China;
Department of Electronics Engineering, Gachon University, Seongnam City, Kyunggi-do, 461-701, Republic of Korea;
Department of Electronics Engineering, Gachon University, Seongnam City, Kyunggi-do, 461-701, Republic of Korea;
Cu(In,Ga)Se_2 (CICS) thin film solar cell; Rapid thermal process (RTP); Stacked elemental layer (SEL); Selenization;
机译:溅射沉积Cu-In-Ga-Se前驱体的无Se快速热退火制备的Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池中的效率限制因素
机译:快速热退火提高高Ga组成的Cu(InGa)Se_2薄膜太阳能电池的效率
机译:溅射沉积的Cu-In-Ga-Se前体的无硒快速热退火制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池中的效率限制因素
机译:通过两步硒化过程从含Se的前体的Cu(In,Ga)Se_2薄膜的快速制造
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:Cu(In1-xGax)Se2薄膜太阳能电池一步硒化过程的综合研究
机译:Cu 2通过快速热退火处理基于ZnSNS 4基础薄膜和太阳能电池