机译:生长温度对原子层沉积生长Al掺杂ZnO导电薄膜电学和结构特性的影响
School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, Republic of Korea;
Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University, Cheongju, Chungbuk, 360-764, Republic of Korea;
School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, Republic of Korea;
Atomic layer deposition; Al-doped ZnO; Transparent electrode; Doping; Growth temperature;
机译:不同原子浓度和沉积温度的原子层沉积铝掺杂ZnO薄膜的光学,结构和电学性质研究
机译:原子层沉积种植的铝型ZnO薄膜形态学,电气和光学特性研究
机译:原子层沉积生长Al掺杂ZnO薄膜的形貌和电/光学性质
机译:用原子层沉积制备的铝型ZnO薄膜的电气和光学性质
机译:用于大面积电路应用的等离子增强原子层沉积ZnO薄膜晶体管。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:用原子层沉积生长的Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜的表征