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机译:立方氮化硼薄膜的掺杂和电性能:关键评论
Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People's Republic of China;
Cubic boron nitride; Thin films; Doping; Electrical properties; Implantation;
机译:原位共溅射Si掺杂立方氮化硼薄膜的电输运性质
机译:通过磁增强等离子体离子镀法沉积的立方氮化硼薄膜的结构,机械和电性能
机译:硫磺注入的立方氮化硼薄膜的电性能
机译:等离子体增强化学气相沉积法原位S掺杂立方氮化硼薄膜
机译:半导体立方氮化硼薄膜的生长。
机译:Eu3 +掺杂的立方介孔二氧化硅薄膜的结构和发光性能
机译:立方氮化硼薄膜的掺杂和电学性质综述
机译:立方氮化硼薄膜的表面化学,微观结构和摩擦学性能