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机译:GaP衬底上的AlGaP限制层和InGaAs量子点发光体的结构和光学性质:面向硅应用的光子学
Universite Europeenne de Bretagne, INSA Rennes, France ,CNRS, UMR 6082 Foton, 20 Avenue des Buttes de Coesmes 35708 Rennes, France;
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Equipe de Physique des Surfaces et Interfaces, Institut de Physique de Rennes UMR URJ-CNRS 6251, Universite de Rennes I, F-35042 Rennes Cedex, France;
University de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, France;
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Universite Europeenne de Bretagne, INSA Rennes, France ,CNRS, UMR 6082 Foton, 20 Avenue des Buttes de Coesmes 35708 Rennes, France;
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User; Photonics on silicon; Quantum dots; Ellipsometry; X-ray diffraction;
机译:利用原子层外延技术的InGaAs / GaAs量子点的结构和光学性质在光通信中的应用
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机译:InGaAs / GaAs量子点的结构和光学性能使用原子层外延技术来应用光学通信
机译:(In,Ga)As / GaP量子点和(GaAsPN / GaPN)稀释的氮化物纳米层的结构和光学性质相干生长在GaP和Si衬底上,用于光子学和光伏应用
机译:用于发光二极管应用的化合物半导体量子阱和点:结构和光电性质的见解
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
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机译:用于长波发射的InGaasN / Gaas量子阱和量子点结构的光学特性。