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机译:直流磁控溅射近外延生长氮化铝薄膜的光学性能
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (1EMN), UMR CNRS 8520, PRES Lille, Universite Nord de France, Avenue Poincare,59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (1EMN), UMR CNRS 8520, PRES Lille, Universite Nord de France, Avenue Poincare,59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
Department of Materials Physics, Atomic Energy Commission of Syria, Damascus, P.O. Box 6091, Syria;
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), UMR CNRS 6082, 6, rue de Kerampont CS 80518, 22305 Lannion Cedex, France;
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (1EMN), UMR CNRS 8520, PRES Lille, Universite Nord de France, Avenue Poincare,59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
Institut des Materiaux Jean Rouxel - 1MN, UMR CNRS 6502,2, rue de la Houssinere BP 32229, 44322 Nantes, France;
Institut des Materiaux Jean Rouxel - 1MN, UMR CNRS 6502,2, rue de la Houssinere BP 32229, 44322 Nantes, France;
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (1EMN), UMR CNRS 8520, PRES Lille, Universite Nord de France, Avenue Poincare,59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (1EMN), UMR CNRS 8520, PRES Lille, Universite Nord de France, Avenue Poincare,59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
AIN; DC magnetron sputtering; microstructure; optical properties;
机译:同时射频射频磁控共溅射在p型氮化镓上生长的In掺杂氧化锌纳米结构薄膜的结构,形态和电学性质
机译:反应性射频磁控溅射低温制备的c轴取向氮化铝薄膜的结构和光学性质
机译:沉积条件对直流反应磁控溅射制备的氮化铝(AlN)薄膜光学性能的影响
机译:低温磁控溅射外延生长的纤锌矿型Al_(0.8)In_(0.2)N薄膜的结构和光学特性
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:脉冲DC磁控溅射沉积的氮化铝薄膜的结构和光学性质