机译:原子层沉积法生长的掺铁氧化锆中四方/立方相的稳定性
Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2,20864 Agrate Brianza (MB), Italy;
Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2,20864 Agrate Brianza (MB), Italy;
Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2,20864 Agrate Brianza (MB), Italy;
Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2,20864 Agrate Brianza (MB), Italy;
Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2,20864 Agrate Brianza (MB), Italy;
atomic layer deposition; thin films; iron doped zirconia; X -ray diffraction; time of flight secondary ion mass; spectrometry; spectroscopic ellipsometry; X -ray photoemission spectroscopy;
机译:原子氧束沉积生长的掺Ge ZrO_2薄膜中非常高k的四方相的稳定性
机译:电泳沉积多层(立方和四方稳定)氧化锆陶瓷,以适应裂纹偏转
机译:立方和四方钇稳定的氧化锆的缺陷构型和相稳定性
机译:氧化钇稳定氧化锆 - 立方和四方阶段钻石轮磨削性能评价
机译:加速人工时效引起的四方相向单斜相转变以及稳定氧化锆中微观结构的影响。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:原子层沉积法生长的掺铁氧化锆中四方相/立方相的稳定性。
机译:四方和立方氧化钇稳定氧化锆中晶间相的表征