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机译:深入分析快速熔化生长形成的高质量绝缘体上的锗
Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395 Japan;
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Ge; Ge-on-insulator; SiGe mixing-triggered rapid-melting growth; In-depth analysis;
机译:通过硅微晶种形成与快速熔化生长相结合的(100)硅平台上的绝缘体取向Ge-on-Ge结构
机译:通过硅微晶种形成与快速熔化生长相结合的(100)硅平台上的绝缘体取向Ge-on-Ge结构
机译:快速熔体生长形成的绝缘体上Ge绝缘体结构中Si-Ge互扩散的抑制
机译:利用RTA技术通过SiGe混合触发快速熔化生长在Si平台上形成绝缘体上Ge的结构
机译:CDO在一组体细胞突变体中,在Ras诱导的形态转化,基因表达和锚定非依赖性生长的成肌分化和解离中的作用的结构功能分析。
机译:以新构象重组重组人转化生长因子β2的生产纯化结晶和结构分析
机译:通过控制两步阶梯工艺中金属催化剂的形状和蚀刻剂组合物的形状来工程硅纳米线的微观结构:生长机制的深入分析
机译:粘结结构中疲劳裂纹扩展的表征。第二卷。裂纹结合结构分析。