机译:使用Cs +离子溅射通过飞行时间二次离子质谱法(ToF-SIMS)获得的Ta / Si多层深度分布的定量重建
Shantou Univ, Dept Phys, Shantou 515063, Guangdong, Peoples R China.;
Max Planck Inst Intelligent Syst, MPI Met Res, D-70569 Stuttgart, Germany.;
Shantou Univ, Dept Phys, Shantou 515063, Guangdong, Peoples R China.;
CSIR, Natl Phys Lab, Sophisticated Instrumentat Div, New Delhi 110012, India.;
Sputter depth profile; SIMS; MRI model; Profile reconstruction;
机译:使用ToF-SIMS以Ga-69(+),Bi-3(+)/ Cs +和C-60(+)/ C-60(2+)为主要成分并进行溅射的SOF互连材料上的氧化皮深度分布比较离子
机译:使用大Argon簇Arn〜+,C_(60)〜+和Cs〜+溅射离子对多层氨基酸薄膜进行TOF-SIMS深度剖析:对比研究(会议论文)
机译:TOF-SIMS深度分析用低能量CS溅射在发动机油中形成的无机边界膜的定量评价
机译:使用TOF-SIMS了解钙钛矿光伏深度剖面中固有的阳离子梯度导致的测量伪像
机译:使用ToF-SIMS和簇离子束进行分子深度分析和楔形坑斜切
机译:TOF-sIms细胞深度剖面:Z-校正三维成像和个人NIH / 3T3成纤维细胞的溅射速率
机译:聚合物簇膜的3D ToF-SIMS成像,使用氩簇溅射深度分布
机译:使用溅射引发的共振电离光谱法对半导体中掺杂剂和杂质的定量和灵敏分析