...
机译:通过引入磷,增强了氯的热氧化物的生长并显着降低了SiO2 / SiC界面处的陷阱密度
Tele & Radio Res Inst, PL-03450 Warsaw, Poland.;
Warsaw Univ Technol, Inst Micro & Optoelect, PL-00662 Warsaw, Poland.;
Inst Elect Mat Technol, PL-01919 Warsaw, Poland.;
Inst Elect Mat Technol, PL-01919 Warsaw, Poland.;
Inst Electr Mat Technol, PL-02668 Warsaw, Poland.;
Tele & Radio Res Inst, PL-03450 Warsaw, Poland.;
Tele & Radio Res Inst, PL-03450 Warsaw, Poland.;
Warsaw Univ Technol, Inst Micro & Optoelect, PL-00662 Warsaw, Poland.;
Silicon carbide; Thermal oxidation; POCl3; Interface properties;
机译:通过掺磷去除SiO2 / 4H-SiC(0001)界面处的近界面陷阱
机译:预氧化注入磷降低4H-SiC / SiO_2界面陷阱的密度
机译:钠增强的氧化作用大大降低了SiO_2 / 4H-SiC界面处近界面陷阱的密度
机译:通过预氧化磷植入来降低4H-SiC / SiO_2接口捕集物的密度
机译:二氧化硅/ 4H-碳化硅中的氮掺入和界面陷阱的减少。
机译:N2O热处理后SiO2 / 4H-SiC界面的外观
机译:通过磷掺入栅极氧化物的SiC-MOS接口陷阱的减少及改进的MOSFET性能