机译:铟积累对不同生长条件下a面InN外延膜特性的影响
Natl Changhua Univ Educ, Inst Photon, Changhua, Taiwan;
Natl Changhua Univ Educ, Inst Photon, Changhua, Taiwan;
Natl Changhua Univ Educ, Inst Photon, Changhua, Taiwan;
Nan Kai Univ Technol, Dept Elect Engn, Nantou, Taiwan;
Molecular beam epitaxy; Indium nitride; a-Plane; Non-polar layers; High resolution X-ray diffraction; Surface morphology;
机译:纤锌矿c面和a面以及闪锌矿InN表面电子累积的普遍性
机译:基于Xeol和时间分离的Xeol的非极性A面MgZno和ZnO外膜膜的异常排放观察混合束模式
机译:薄膜中a平面的生长及其THz发射
机译:氮化硅上InN外延膜的生长和表征
机译:用于砷化铟和磷化铟器件的高电阻率和晶格失配的铟砷磷和铝铟砷磷缓冲层的金属有机气相外延生长和电学表征。
机译:使用外部硅油过滤器的基于亚硝酸铟(InN)的超灵敏和选择性氨传感器
机译:基于Xeol和时间分离的Xeol的非极性A面MgZno和ZnO外膜膜的异常排放观察混合束模式
机译:用于新型中红外和红外探测器和发射器的InN和富铟III族氮化物复合半导体的高压CVD生长。