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机译:合成条件对化学溶液沉积Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-PbTiO3薄膜电性能的影响
Shizuoka Univ, Grad Sch Sci & Technol, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Kitami Inst Technol, Dept Mat Sci, Kitami, Hokkaido 0908507, Japan;
Kitami Inst Technol, Dept Mat Sci, Kitami, Hokkaido 0908507, Japan;
Shizuoka Univ, Elect Res Inst, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Shizuoka Univ, Elect Res Inst, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Shizuoka Univ, Elect Res Inst, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Thin films; Chemical solution deposition; Lead titanate; Lead-magnesium-niobium titanate; Lanthanum nickelate; Dielectric constants; Piezoelectric properties;
机译:化学溶液沉积法在硅晶片上合成Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-PbTiO3外延薄膜及其电性能
机译:化学溶液法沉积Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-PbTiO3薄膜的电学和光学性质
机译:在PB生长的Bi2te3拓扑绝缘体薄膜的电子性质非易失性和可逆的铁电控制(Mg1 / 3NB2 / 3)O-3-PBTIO3单晶
机译:通过化学溶液沉积的Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O_3-PBTIO_3薄膜的制备及性能
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:(111)取向Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O3-PBZRO3-PBTIO3薄膜的结构和电性能用于高频换能器应用
机译:使用化学溶液沉积的Si晶片上Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O3-PBTIO3外延薄膜的合成和电性能
机译:铁电90(度)域形成与化学制备的pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电性能的关系