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机译:Cu(In,Ga)Se-2太阳能电池深层缺陷对电压感应应力的行为
Dongguk Univ, Dept Phys & Semicond Sci, Seoul, South Korea;
Dongguk Univ, Dept Phys & Semicond Sci, Seoul, South Korea;
Korea Inst Sci & Technol, Solar Cell Ctr, Seoul, South Korea;
Dongguk Univ, Dept Phys & Semicond Sci, Seoul, South Korea;
Deep level defect; Copper indium gallium sulfide; Solar cells; Voltage-induced stress; Photoinduced current transient spectroscopy; Capacitance-voltage measurements;
机译:氟化铯沉积治疗的深层缺陷的钝化,用于改善Cu(In,Ga)SE-2太阳能电池的装置性能
机译:多层前驱体法在不锈钢基板上沉积柔性Cu(In,Ga)Se-2太阳能电池:其光伏性能和深层缺陷
机译:由光感应电流瞬态光谱法得出的缺陷能级的激发光谱-研究Cu(In,Ga)Se-2化合物深能级的工具
机译:深度瞬时光谱法通过深度瞬态光谱研究Cuinse Cuinse2和Cu(河)Se2太阳能电池缺陷性能研究
机译:n + -CdS / p-CdTe太阳能电池深层缺陷的研究
机译:用Ag代替Cu2ZnSn(SSe)4中的Cu:面向薄膜太阳能电池具有低反位缺陷的宽带隙吸收剂
机译:通过深共熔溶剂中的电沉积来调节Cu(In,Ga)Se-2薄膜太阳能电池的金属前驱体的镓含量