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机译:CuZnSe_2薄膜的温度依赖性材料表征
Atilim Univ Dept Elect & Elect Engn TR-06836 Ankara Turkey;
Middle East Tech Univ Ctr Solar Energy Res & Applicat GUNAM TR-06800 Ankara Turkey|Middle East Tech Univ Dept Phys TR-06800 Ankara Turkey|Tekirdag Namik Kemal Univ Dept Phys TR-59030 Tekirdag Turkey;
Middle East Tech Univ Ctr Solar Energy Res & Applicat GUNAM TR-06800 Ankara Turkey|Middle East Tech Univ Dept Phys TR-06800 Ankara Turkey;
Middle East Tech Univ Dept Phys TR-06800 Ankara Turkey|Baku State Univ Virtual Int Sci Res Ctr Baku 1148 Azerbaijan;
Thin film; Temperature effect; Optical properties; Photoconductivity;
机译:氧化钨薄膜作为新型材料,对NO_(2),O_(3)和H_(2)S具有高灵敏度和选择性。第一部分:氧化钨薄膜的制备和微观结构表征
机译:适用于微机电系统的薄膜材料的温度依赖性微拉伸试验
机译:适用于微机电系统的薄膜材料的温度依赖性微拉伸试验
机译:使用自动依赖性电阻测量的形状记忆薄膜的高通量表征
机译:能量存储和转换材料:第1部分:基于钌的三联吡啶的富勒烯电荷转移盐,作为一类新型可调热电材料;第2部分:用作锂离子电池隔膜的聚合物薄膜的合成和表征。
机译:通过数字全息显微镜高通量表征薄膜材料库中的薄膜厚度
机译:由炉氧化方法制备的VO2薄膜的温度依赖性光学表征