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机译:带有Ru底电极的原子层沉积ZrO_2金属-绝缘体-金属电容器的界面质量得到改善
Yonsei Univ Sch Elect & Elect Engn Seoul 03722 South Korea;
Appl Mat Inc Sunnyvale CA 94085 USA;
Ulsan Natl Inst Sci & Technol Sch Mat Sci & Engn Ulsan 44919 South Korea;
Hanyang Univ Dept Mat Sci & Chem Engn 55 Hanyangdeahak Ro Ansan 15588 Gyeonggi Do South Korea;
Zirconium oxide; Atomic layer deposition; Metal-Insulator-Metal; Titanium nitride; Ruthenium; Interfacial layer;
机译:具有原子层沉积的Al_2O_3 / ZrO_2 / SiO_2纳米堆叠的金属-绝缘体-金属电容器的电压线性调制和极性相关的导电
机译:先栅极后栅极工艺对使用原子层沉积Al_2O_3和HfO_2氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器的界面质量的影响
机译:具有在原子层沉积的Al_(2)O_(3)膜中嵌入Ru-RuO_(x)复合纳米点的非易失性金属氧化物半导体电容器
机译:使用各种Ru(0)金属有机前驱体和分子O2增强成核的Ru薄膜的原子层沉积:在铜电镀和电容器电极的种子层中的应用
机译:铁电/电极接口:非易失性存储器中PZT电容器的极化切换和可靠性
机译:金属-绝缘体-金属纳米结构界面中的等离子模式干扰和Fano共振
机译:了解通过Ru原子层沉积形成的Ru / SrTiOx / Ru金属-绝缘体-金属电容器中EOT-J(g)的降解