机译:Cr中间层厚度对射频磁控溅射沉积碲化锑薄膜的粘接,结构和热电性能的影响
Tokai Univ, Dept Mat Sci, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 2591292, Japan;
Tokai Univ, Dept Mat Sci, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 2591292, Japan;
Chromium; Interlayer; Adhesion; Thermoelectric property; Antimony telluride; Radio-frequency magnetron sputtering;
机译:RF磁控溅射沉积功率对柔性基材锑碲化酰胺结晶度和热电性能的影响
机译:溅射功率密度对DC磁控溅射沉积的柔性热电锑蛋白膜热电和力学性能的影响
机译:使用不同溅射压力在柔性基板上沉积的抗碲化酰胺薄膜的微观结构和电性能
机译:DC磁控溅射沉积铅碲化铅薄膜结构和热电性能研究
机译:碲化镉和碲化锌薄膜以及太阳能电池的射频磁控三极管溅射。
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
机译:射频磁控溅射沉积ZnO薄膜的微观结构及其电学和光学性质的厚度依赖性