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机译:通过原子层沉积生长的栅极电介质Al2O3薄膜的AlGaN / GaN异质结构的表面处理
IMM CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, Str 8 5, I-95121 Catania, Italy;
IMM CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, Str 8 5, I-95121 Catania, Italy|Univ Catania, Dipartimento Sci Chim, Viale A Doria 6, I-95125 Catania, Italy|INSTM, UdR Catania, Viale A Doria 6, I-95125 Catania, Italy;
IMM CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, Str 8 5, I-95121 Catania, Italy;
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Alumina; Dielectrics; Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition;
机译:具有通过原子层沉积生长的HfO_2栅介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管中界面态的表征
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:在AlGaN / GaN HEMT上通过原子层沉积生长的BeO栅极电介质的能带对准
机译:表面处理对GaN薄膜和GaN / AlGaN / GaN异质结构的微观结构演化的影响
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响