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机译:电子激发对未掺杂和锑掺杂的氧化锡薄膜的结构,光学和电学性质的影响
HNB Garhwal Univ, Dept Phys, Badshahi Thaul Campus, Tehri Garwal 249199, India;
Inter Univ Accelerator Ctr, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India;
HNB Garhwal Univ, Dept Phys, Badshahi Thaul Campus, Tehri Garwal 249199, India;
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Transparent conducting oxide (TCO); IV-VI semiconductors; Ion irradiations effects; Burstein-Moss (BM) shift; Quantum confinement; Urbach energy;
机译:退火温度对掺锑氧化锡薄膜结构,光学和电学性质的影响
机译:膜厚对喷涂沉积锑掺杂SnO2薄膜的结构,光学和电学性质的影响
机译:溶胶-凝胶法沉积非掺杂锑掺杂氧化锡薄膜的微观结构和电学性能
机译:溶胶 - 凝胶工艺沉积未掺杂和锑掺杂氧化锡薄膜的微观结构和电性能
机译:纳米晶的未掺杂和掺杂的氧化铈薄膜的微结构及其电学和光学性质。
机译:用于透明柔性薄膜晶体管应用的掺铝氧化锡薄膜的电结构光学和粘合特性
机译:溶胶 - 凝胶浸涂技术制备掺锑氧化锡透明导电薄膜的光电性能