机译:化学溶液沉积法在硅晶片上合成Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-PbTiO3外延薄膜及其电性能
Shizuoka Univ, Grad Sch Sci & Technol, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Kitami Inst Technol, Dept Mat Sci, Kitami, Hokkaido 0908507, Japan;
Kitami Inst Technol, Dept Mat Sci, Kitami, Hokkaido 0908507, Japan;
Shizuoka Univ, Elect Res Inst, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Shizuoka Univ, Elect Res Inst, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Shizuoka Univ, Elect Res Inst, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
Epitaxial growth; Thin film; Chemical solution deposition; PMN-PT; Piezoelectricity; Relaxor ferroelectrics;
机译:合成条件对化学溶液沉积Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-PbTiO3薄膜电性能的影响
机译:化学溶液法沉积Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-PbTiO3薄膜的电学和光学性质
机译:过量铅对化学溶液沉积法制备Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3薄膜外延生长的影响
机译:通过化学溶液沉积的Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O_3-PBTIO_3薄膜的制备及性能
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:(111)取向Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O3-PBZRO3-PBTIO3薄膜的结构和电性能用于高频换能器应用
机译:使用化学溶液沉积的Si晶片上Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O3-PBTIO3外延薄膜的合成和电性能
机译:衬底对金属有机化学气相沉积制备的外延pbTiO(sub 3)薄膜的结构和光学性质的影响