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机译:400摄氏度下a-Si:H薄膜的UV预处理和近红外快速热退火增强脱氢
AP Syst Corp, Hwaseongsi 445811, Gyeonggido, South Korea|Sogang Univ, Dept Chem & Biomol Engn, Seoul 121742, South Korea;
ETRI, Daejeon 305350, South Korea;
AP Syst Corp, Hwaseongsi 445811, Gyeonggido, South Korea;
AP Syst Corp, Hwaseongsi 445811, Gyeonggido, South Korea;
Sogang Univ, Dept Chem & Biomol Engn, Seoul 121742, South Korea;
LTPS dehydrogenation; UV pretreatment; NIR-RTA; ELA; SIMS; a-Si:H; Flexible substrate; LTPS;
机译:快速热处理a-Si:H薄膜的退火
机译:Ag和Sn纳米粒子增强a-Si:H薄膜的近红外吸收率
机译:退火温度对通过a-Si:H薄膜快速热退火形成的多晶硅薄膜的性能的影响
机译:多脉冲快速热退火形成的多晶硅薄膜-本征a-Si膜厚度效应
机译:探索性筛选和开发超过400摄氏度的潜在喷气燃料热稳定剂。
机译:用于柔性薄膜太阳能电池的ZTOITO和a-Si:H多层膜的机械性能
机译:未掺杂的BiFeO3薄膜在室温下的极化转换在400 <= T <= 500摄氏度之间结晶