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机译:铝掺杂增强p型氧化锡沟道薄膜晶体管的电性能
Inha Univ, Dept Mat Sci & Engn, Incheon 11112, South Korea;
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Inha Univ, Dept Mat Sci & Engn, Incheon 11112, South Korea;
Inha Univ, Dept Mat Sci & Engn, Incheon 11112, South Korea;
Aluminum doped Tin Oxide; Thin Films; Co-sputtering; Reactive magnetron sputtering; X-ray diffraction; X-ray photoelectron spectroscopy; Oxidation states;
机译:通过使用氟等离子体处理增强p型掺杂Al的氧化锡薄膜晶体管的性能
机译:钽掺杂同时提高锌锡氧化锌薄膜晶体管的电性能和稳定性
机译:新型氧化铟锡/氧化锡锌的沟道调制层提高掺锡氧化锌薄膜晶体管的性能
机译:基于脉冲激光沉积生长的掺杂锂的氧化镍通道的p型薄膜场效应晶体管
机译:氧化锌发光二极管,氧化铟锌薄膜晶体管和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管基生物传感器的制造与表征。
机译:用于透明柔性薄膜晶体管应用的掺铝氧化锡薄膜的电结构光学和粘合特性
机译:使用氧化铝覆盖层的最佳厚度的高迁移率铟 - 镓 - 氧化铟膜薄膜晶体管的电性能和稳定性改进
机译:通过掺杂氧化铝孔径增强双极级联发光二极管的性能