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机译:用于AZO / ZnO双层有源层薄膜晶体管的原子层沉积Al掺杂ZnO膜的研究
Chungnam Natl Univ, Dept Elect Engn, 2nd Engn Bldg,274 Daehak Ro, Daejeon 305764, South Korea;
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Chungnam Natl Univ, Grad Sch Adv Circuit Substrate Engn, Daejeon 305764, South Korea;
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Zinc oxide; Aluminum-doped zinc oxide; Thin film transistors; Stability; Oxygen vacancy; Field effect mobility;
机译:关于在薄膜晶体管应用中原子层沉积过程中掺入Al掺杂的ZnO有源通道中的位置控制Al层的作用的研究
机译:ZnO基透明薄膜晶体管中Al掺杂ZnO沟道层的研究
机译:通过由原子层沉积制造的Zn-Al-O界面在ZnO膜中的氧空位,增强了基于ZnO的透明柔性透明薄膜晶体管的性能。用原子层沉积制造的Zn-Al-O界面
机译:使用原子层沉积的ZnO纳米粒子作为气体敏化剂对族-ZN-O薄膜晶体管进行对氨气的反应的改进
机译:用于大面积电路应用的等离子增强原子层沉积ZnO薄膜晶体管。
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:具有原子层沉积的ZnO电荷俘获层的无定形IN-ZN-O薄膜晶体管存储器的电压极性依赖性编程行为
机译:基于Znse和ZnO缓冲层的多晶薄膜CuInse(sub 2)太阳能电池的研究。最终报告,1992年2月16日 - 1995年11月15日