机译:使用Ni-63源通过金属有机气相外延生长的GaN p-i-n结构的Betavoltaic研究
Yildiz Tech Univ, Fac Sci & Letters, Dept Phys, TR-34210 Istanbul, Turkey;
Yildiz Tech Univ, Fac Sci & Letters, Dept Phys, TR-34210 Istanbul, Turkey;
Yildiz Tech Univ, Fac Sci & Letters, Dept Phys, TR-34210 Istanbul, Turkey;
Betavoltaic; GaN p-i-n diode; Trap-assisted tunnelling; Weighted average thickness;
机译:金属有机气相外延生长的锑化铟P-I-N结构的同步X射线形貌研究
机译:表面缺陷的起源以及原位沉积的SiN纳米掩模对使用金属有机气相外延生长在Si(111)上生长的应变AlGaN / GaN异质结构的性能的影响
机译:GaN盖层对金属有机气相外延生长的GaN(0001)上嵌入的自组织InN量子点的形貌和物理性质的影响
机译:金属 - 有机气相外延,气源分子束外延和卤化物气相外延生长GaN的对比光学特征
机译:使用气体源和RF等离子体辅助金属 - 有机分子束外延对GaN薄膜生长的结构,形态和动力学
机译:用于发光二极管应用的GaN导线在Si(111)上的金属有机气相外延生长
机译:在蚀刻的GaN纳米棒阵列上通过金属有机气相外延生长的GaN / InGaN / GaN核-壳结构的刻面恢复和发光